MT8HTF12864HTY-40ED3,MT8HTF12864HTY-40ED3 pdf中文资料,MT8HTF12864HTY-40ED3引脚图,MT8HTF12864HTY-40ED3电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MT8HTF12864HTY-40ED3

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MT8HTF12864HTY-40ED3: 产品描述DDR DRAM Module, 128MX64, 0.6ns, CMOS, PDMA200; 产品类别存储存储; 文件大小555KB，共15页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/; 标准

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MT8HTF12864HTY-40ED3概述

DDR DRAM Module, 128MX64, 0.6ns, CMOS, PDMA200

MT8HTF12864HTY-40ED3规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
Objectid	108996862
包装说明	DIMM, DIMM200,24
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	0.6 ns
最大时钟频率 (fCLK)	200 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDMA-N200
内存密度	8589934592 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64
端子数量	200
字数	134217728 words
字数代码	128000000
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM200,24
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.6 mm
端子位置	DUAL

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