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VP0106N3-G

产品描述mosfet 60v 8ohm
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小556KB,共5页
制造商Supertex
标准
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供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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VP0106N3-G概述

mosfet 60v 8ohm

VP0106N3-G规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Supertex
零件包装代码TO-92
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)0.25 A
最大漏源导通电阻8 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)8 pF
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

VP0106N3-G相似产品对比

VP0106N3-G VP0104N3-G VP0109N3-G VP0104N3-G P014 VP0104N3-G P013 VP0104N3-G P005
描述 mosfet 60v 8ohm mosfet 40v 8ohm mosfet 90v 8ohm mosfet N-CH enhancmnt mode mosfet mosfet N-CH enhancmnt mode mosfet mosfet N-CH enhancmnt mode mosfet

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