电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

RSS065N06FU6TB

产品描述mosfet mosfet; 30v 6.5A N channel
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小100KB,共5页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

RSS065N06FU6TB在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
RSS065N06FU6TB - - 点击查看 点击购买

RSS065N06FU6TB概述

mosfet mosfet; 30v 6.5A N channel

RSS065N06FU6TB规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明,
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)6.5 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
湿度敏感等级1
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2 W
表面贴装YES

文档预览

下载PDF文档
RSS065N06
Transistors
4V Drive Nch MOSFET
RSS065N06
Structure
Silicon N-channel MOSFET
Dimensions
(Unit : mm)
SOP8
Features
1) Low on-resistance.
2) Built-in G-S Protection Diode.
3) Small Surface Mount Package (SOP8).
Application
Switching
Packaging specifications
Package
Type
RSS065N06
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
TB
2500
∗2
∗1
Each lead has same dimensions
Equivalent circuit
(8)
(7)
(6)
(5)
(8) (7) (6) (5)
(1) (2) (3) (4)
(1)Source
(2)Source
(3)Source
(4)Gate
(5)Drain
(6)Drain
(7)Drain
(8)Drain
(1)
(2)
(3)
(4)
∗1
ESD PROTECTION DIODE
∗2
BODY DIODE
∗A
protection diode is included between the gate and
the source terminals to protect the diode against static
electricity when the product is in use. Use the protection
circuit when the fixed voltages are exceeded.
Absolute maximum ratings
(Ta = 25°C)
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Source current
(Body diode)
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
Symbol
Limits
V
DSS
60
20
V
GSS
±6.5
I
D
1
±26
I
DP
1.6
I
S
1
26
I
SP
2
2.0
P
D
Tch
150
Tstg
−55
to
+150
Unit
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
Total power dissipatino
Channel temperature
Range of storage temperature
∗1
Pw≤10μs, Duty cycle≤1%
2 Mounted on a ceramic board.
Thermal resistance
Parameter
Channel to ambient
Mounted on a ceramic board.
Symbol
Rth (ch-A)
Limits
62.5
Unit
°C
/ W
1/4

RSS065N06FU6TB相似产品对比

RSS065N06FU6TB RSS065N06TB
描述 mosfet mosfet; 30v 6.5A N channel Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 60V, 0.048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体)
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 Single SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
表面贴装 YES YES
电子爱好者的最高境界,上图 l
35292 35293...
FPGA小牛 测试/测量
快充标准有望统一吗?
智能手机发展到现在,面对日益强大的性能以及日益缩短的续航,快充的普及尤为重要,如今,上到旗舰下到百元,快充成为必配,而有关于快充的这些,你又知不知道。 到目前为止,我们 ......
qwqwqw2088 模拟与混合信号
比较器的坑
本帖最后由 PowerAnts 于 2018-11-7 12:53 编辑 386258 板上用6颗LM393,OC输出端用于控制P-MOS对12V进行通断控制(不考虑速率),P-MOS的GS间有并联10K电阻。 为了降低系统休眠电流,LM39 ......
PowerAnts 模拟电子
转载prm文件介绍
分享...
melon_1 NXP MCU
大家有没有接触过四输出端的变压器?
测量任意两个脚之间的电压,有12V左右的,也有5V左右的,但那个是接地端呢???...
chuzhitian 微控制器 MCU
电压跟随器的问提 急需帮助
那位大侠给看看电路该怎么去改 我想让电压跟随器的输入为5V输出为5v 电子仿真时是一点问题没有 可连成实际电路后 输入很小 输出也很小 但是波形很好 很稳定 我不知道这是问什么 谁来给解 ......
5586 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 665  32  1466  2076  1655  59  25  21  56  34 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved