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PMN25UN,115

产品描述mosfet 20v 6 A N-CH trench mosfet
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小805KB,共17页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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PMN25UN,115概述

mosfet 20v 6 A N-CH trench mosfet

PMN25UN,115规格参数

参数名称属性值
Source Url Status Check Date2013-06-14 00:00:00
Brand NameNXP Semiconduc
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码TSOP
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
制造商包装代码SOT457
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)6 A
最大漏极电流 (ID)6 A
最大漏源导通电阻0.027 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.3 W
参考标准IEC-60134
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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