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M4116-3B1

产品描述Page Mode DRAM, 16KX1, 200ns, MOS, PDIP16
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文件大小837KB,共15页
制造商SGS-Ates Componenti Electronici SPA
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M4116-3B1概述

Page Mode DRAM, 16KX1, 200ns, MOS, PDIP16

M4116-3B1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid101063223
包装说明DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间200 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDIP-T16
JESD-609代码e0
内存密度16384 bit
内存集成电路类型PAGE MODE DRAM
内存宽度1
端子数量16
字数16384 words
字数代码16000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16KX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP16,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源+-5,12 V
认证状态Not Qualified
刷新周期128
表面贴装NO
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
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