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RSA6.1J4T2R

产品描述tvs diode arrays tvs array4 elmnts
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小110KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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RSA6.1J4T2R概述

tvs diode arrays tvs array4 elmnts

RSA6.1J4T2R规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time12 weeks
Samacsys DescriptiESD protection Devices(TVS): ROHM\'s zener diodes are available in various lineup as 2-pin mold surfacemount type and complex type.
最大钳位电压6.65 V
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
峰值回流温度(摄氏度)225
极性UNIDIRECTIONAL
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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RSA6.1J4
Diodes
ESD Protection diode
RSA 6.1J4
Application
ESD protection
Dimensions
(Unit : mm)
Land size figure
(Unit : mm)
0.4
1.6±0.1
0.13±0.05
(4)
1.2±0.1
1.6±0.1
Features
1) Ultra small mold type. (EMD5)
2) High reliability.
0.45
0.15 0.25
0.25 0.15 0.3
0.22±0.05
(5)
0½0.1
0.5
0.5
Construction
Silicon epitaxial planar
(1)
0.5
(2)
0.5
(3)
EMD5
0.5±0.05
1.0±0.1
Structure
ROHM : EMD5
JEITA : SC-75A Size
dot (year week factory)
Taping specifications
(Unit : mm)
1.75±0.1
4.0±0.1 2.0±0.05
φ1.5
−0
+0.1
0.3±0.1
1.65±0.1
5.5±0.2
0~0.1
3.5±0.05
8.0±0.2
1.7±0.05
1PIN 4.0±0.1
φ0.8±0.1
0.65±0.1
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Param eter
Peak puls e power-1 (tp=10×1000us )
Peak puls e power-2 (tp=8×20us )
Junction tem perature
Storage tem perature
Sym bol
P
pk
P
pk
Tj
Ts tg
Lim its
10
80
150
-55 to +150
Unit
W
W
Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Param eter
Zener voltage
Revers e current
Forward voltage
Capacitance between term inals
Sym bol
V
Z
I
R
V
F
C
t
Min.
6.1
-
-
-
Typ.
-
-
-
35
Max.
7.20
1.0
1.0
-
Unit
V
µA
V
pF
I
Z
=1m A
V
R
=3.0V
I
F
=100m A
f=1MHz,V
R
=0V
Conditions
Rev.C
1.65±0.01
1.55
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