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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> FR85DR02
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FR85DR02

产品描述rectifiers 200v 85a rev leads fast recovery
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小544KB，共2页
制造商GeneSiC
官网地址http://www.genesicsemi.com/
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FR85DR02概述

rectifiers 200v 85a rev leads fast recovery

FR85DR02规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称GeneSiC
包装说明O-MUPM-D1
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
应用FAST RECOVERY
外壳连接ANODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.4 V
JEDEC-95代码DO-5
JESD-30 代码O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流1369 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流85 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流25 µA
最大反向恢复时间0.2 µs
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER

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FR85B02 thru FR85JR02
Silicon Fast
Recovery Diode
Features
• High Surge Capability
• Types up to 600 V V
RRM
DO-5 Package
V
RRM
= 100 V - 600 V
I
F
= 85 A
Note:
1. Standard polarity: Stud is cathode.
2. Reverse polarity (R): Stud is anode.
3. Stud is base.
Maximum ratings, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)
Parameter
Repetitive peak reverse
voltage
RMS reverse voltage
DC blocking voltage
Continuous forward current
Surge non-repetitive forward
current, Half Sine Wave
Operating temperature
Storage temperature
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F
I
F,SM
T
j
T
stg
T
C
≤
100 °C
T
C
= 25 °C, t
p
= 8.3 ms
Conditions
FR85B(R)02
100
70
100
85
1369
-40 to 125
-40 to 150
FR85D(R)02
200
140
200
85
1369
-40 to 125
-40 to 150
FR85G(R)02
400
280
400
85
1369
-40 to 125
-40 to 150
FR85J(R)02
600
420
600
85
1369
-40 to 125
-40 to 150
Unit
V
V
V
A
A
°C
°C
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Diode forward voltage
Reverse current
Symbol
V
F
I
R
Conditions
I
F
= 85 A, T
j
= 25 °C
V
R
= 100 V, T
j
= 25 °C
V
R
= 100 V, T
j
= 125 °C
I
F
=0.5 A, I
R
=1.0 A,
I
RR
= 0.25 A
FR85B(R)02
1.4
25
20
FR85D(R)02
1.4
25
20
FR85G(R)02
1.4
25
20
FR85J(R)02
1.4
25
20
Unit
V
μA
mA
Recovery Time
Maximum reverse recovery
time
T
RR
200
200
200
250
nS
www.genesicsemi.com/index.php/silicon-products/fast-rec
1

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