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IPB054N08N3 G

产品描述mosfet optimos 3 pwr trans 80v 80a
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小1020KB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准  
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

IPB054N08N3 G概述

mosfet optimos 3 pwr trans 80v 80a

IPB054N08N3 G规格参数

参数名称属性值
ManufactureInfine
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSYes
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage80 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage20 V
Id - Continuous Drain Curre80 A
Rds On - Drain-Source Resistance5.4 mOhms
ConfiguratiSingle
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Pd - Power Dissipati150 W
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
D2PAK-2
系列
Packaging
Reel
Channel ModeEnhanceme
Fall Time10 ns
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Rise Time66 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
1000
Typical Turn-Off Delay Time38 ns

IPB054N08N3 G相似产品对比

IPB054N08N3 G IPB054N08N3GXT IPP057N08N3 G
描述 mosfet optimos 3 pwr trans 80v 80a Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 80V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3 漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 栅源极阈值电压:3.5V @ 90uA 漏源导通电阻:5.7mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 80V 80A
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