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BYR29-800

产品描述8 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小33KB,共5页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
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BYR29-800概述

8 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

BYR29-800规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
Reach Compliance Codeunknow
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.6 V
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流72 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流8 A
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向恢复时间0.075 µs
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)

BYR29-800相似产品对比

BYR29-800 BYR29-500 BYR29 BYR29-700
描述 8 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 8 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 8 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 8 A, 700 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证 符合 不符合 - 不符合
厂商名称 Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) - Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
Reach Compliance Code unknow unknow - unknow
配置 SINGLE SINGLE - SINGLE
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.6 V 1.6 V - 1.6 V
JESD-609代码 e3 e0 - e0
最大非重复峰值正向电流 72 A 72 A - 72 A
元件数量 1 1 - 1
最高工作温度 150 °C 150 °C - 150 °C
最大输出电流 8 A 8 A - 8 A
最大重复峰值反向电压 800 V 500 V - 700 V
最大反向恢复时间 0.075 µs 0.075 µs - 0.075 µs
表面贴装 NO NO - NO
端子面层 Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb)

 
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