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ALD111933PAL

产品描述mosfet dual N-channel
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小407KB,共2页
制造商All Sensors
标准  
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ALD111933PAL概述

mosfet dual N-channel

ALD111933PAL规格参数

参数名称属性值
ManufactureAdvanced Linear Devices
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSYes
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage10 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage10.6 V
Id - Continuous Drain Curre6.9 mA
Rds On - Drain-Source Resistance500 Ohms
ConfiguratiDual
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 70 C
Pd - Power Dissipati500 mW
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
PDIP-8
Channel ModeDepleti
Forward Transconductance - Mi0.0014 S
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
0 C
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
50
Typical Turn-Off Delay Time10 ns

ALD111933PAL相似产品对比

ALD111933PAL ALD111933SAL ALD111933MAL
描述 mosfet dual N-channel mosfet dual N-channel mosfet dual N-channel
Manufacture Advanced Linear Devices Advanced Linear Devices Advanced Linear Devices
产品种类
Product Category
MOSFET MOSFET MOSFET
RoHS Yes Yes Yes
Transistor Polarity N-Channel N-Channel N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 10 V 10 V 10 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage 10.6 V 10.6 V 10.6 V
Id - Continuous Drain Curre 6.9 mA 6.9 mA 6.9 mA
Rds On - Drain-Source Resistance 500 Ohms 500 Ohms 500 Ohms
Configurati Dual Dual Dual
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 70 C + 70 C + 70 C
Pd - Power Dissipati 500 mW 500 mW 500 mW
安装风格
Mounting Style
Through Hole SMD/SMT SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
PDIP-8 SOIC-8 MSOP-8
Channel Mode Depleti Depleti Depleti
Forward Transconductance - Mi 0.0014 S 0.0014 S 0.0014 S
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
0 C 0 C 0 C
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
50 50 50
Typical Turn-Off Delay Time 10 ns 10 ns 10 ns

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