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BC846-T

产品描述transistors bipolar - bjt Ep trans npn,0.1A,65v
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小76KB,共2页
制造商Rectron Semiconductor
官网地址http://www.rectron.com/
标准
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BC846-T在线购买

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BC846-T概述

transistors bipolar - bjt Ep trans npn,0.1A,65v

BC846-T规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Rectron Semiconductor
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压65 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)110
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)265
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz

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BC846
BC847
BC848
NPN Silicon Planar Epitaxial Transistors
Pin configuration:
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
3
1
2
Unit: inch (mm)
SOT-23 SMD Package
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
o
C unless specified otherwise)
DESCRIPTION
Collector Base Voltage
Collector Emmitter Voltage (V
BE
= 0V)
Collector Emitter Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Current - Peak
Emitter Current - Peak
Base Current - Peak
Total power dissipation up to
T
amb
= 25
o
C
Storge Temperature
Junction Temperature
Thermal Resistance
From junction to ambient
SYMBOL
V
CBO
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
-I
EM
I
BM
P
tot
**
Tstg
Tj
R
th(j-a)**
BC846
80
80
65
6
BC847
50
50
45
6
100
200
200
200
250
-55 to +150
150
500
BC848
30
30
30
5
UNITS
V
V
V
V
mA
mA
mA
mW
o
o
C
C
K/W
**Mounted on a ceramic substrate of 8mm x 10mm x 0.7mm
www.rectron.com
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