MRF652S: 产品描述transistors RF bipolar RF transistor; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小12KB，共1页; 制造商All Sensors; 标准

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MRF652S概述

transistors RF bipolar RF transistor

MRF652S规格参数

参数名称	属性值
Manufacture	Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类 Product Category	Transistors RF Bipol
RoHS	Yes
类型 Type	RF Bipolar Powe
Transistor Polarity	NPN
DC Collector/Base Gain hfe Mi	10
Maximum Operating Frequency	512 MHz
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	16 V
Emitter- Base Voltage VEBO	4 V
Continuous Collector Curre	2 A
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 200 C
Power Dissipati	25 W
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	Case 249-06
系列 Packaging	Tray
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 65 C

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MRF652S

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The

ASI MRF652S

is Designed for

UHF large signal, amplifier

Applications in FM equipment up to

512 MHz.

PACKAGE STYLE .280 4L PILL

FEATURES:

•

Common Emitter

•

= 10 dB at 5.0 W/512 MHz

•

Omnigold™

Metalization System

ØB

ØC

MAXIMUM RATINGS

CBO

CER

EBO

DISS

STG

2.0 A

36 V

16 V

4.0 V

25 W @ T

= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

200 °C/W

DIM

.275 / 6.99

.004 / 0.10

.050 / 1.27

.118 / 3.00

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

.220 / 5.59

.230 / 5.84

1.055 / 26.80

.285 / 7.24

.006 / 0.15

.060 . 1.52

.130 / 3.30

CHARACTERISTICS

SYMBOL

CEO

CES

CBO

EBO

CES

= 25 mA

= 5.0 mA

= 15 V

= 5.0 V

= 15 V

= 25 °C

NONETEST

CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM

4.0

1.0

UNITS

---

= 200 mA

f = 1.0 MHz

OUT

= 5.0 W

f = 512 MHz

9.5

150

= 12.5 V

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE

•

NORTH HOLLYWOOD, CA 91605

•

(818) 982-1200

•

FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. B

1/1

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