MRF1000MB: 产品描述transistors RF bipolar RF transistor; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小11KB，共1页; 制造商All Sensors; 标准

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MRF1000MB概述

transistors RF bipolar RF transistor

MRF1000MB规格参数

参数名称	属性值
Manufacture	Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类 Product Category	Transistors RF Bipol
RoHS	Yes
类型 Type	RF Bipolar Powe
Transistor Polarity	NPN
DC Collector/Base Gain hfe Mi	15
Maximum Operating Frequency	1090 MHz
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	20 V
Emitter- Base Voltage VEBO	3.5 V
Continuous Collector Curre	200 mA
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 200 C
Power Dissipati	7 W
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	Case 332A-03
系列 Packaging	Tray
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 65 C

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MRF1000MB

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The

ASI MRF1000MB

is Designed for

Class A, DME/TACAN Applications up to

1090 MHz.

PACKAGE STYLE .280 4L PILL

FEATURES:

•

Class A Operation

•

= 10 dB at 0.2 W/1090 MHz

•

Omnigold™

Metalization System

ØB

ØC

MAXIMUM RATINGS

DISS

STG

200 mA

20 V

DIM

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

7.0 W

-65 C to +200 C

-65 C to +150 C

25.0 C/W

.220 / 5.59

.230 / 5.84

1.055 / 26.80

.275 / 6.99

.004 / 0.10

.050 / 1.27

.118 / 3.00

.285 / 7.24

.006 / 0.15

.060 . 1.52

.130 / 3.30

CHARACTERISTICS

SYMBOL

CBO

CEO

EBO

CES

= 25 C

NONETEST

CONDITIONS

= 1.0 mA

= 5.0 mA

= 1.0 mA

= 28 V

= 5.0 V

= 18 V

= 100 mA

OUT

= 0.2 W

f = 1090 MHz

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM

3.5

1.0

120

UNITS

---

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE

•

NORTH HOLLYWOOD, CA 91605

•

(818) 982-1200

•

FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. B

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