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IRGP6650DPBF

产品描述igbt transistors 600v ultrafast igbt TO-247
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小675KB,共13页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
标准  
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IRGP6650DPBF概述

igbt transistors 600v ultrafast igbt TO-247

IRGP6650DPBF规格参数

参数名称属性值
ManufactureInternational Rectifie
产品种类
Product Category
IGBT Transistors
RoHSYes
ConfiguratiSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage1.65 V
Maximum Gate Emitter Voltage20 V
Continuous Collector Current at 25 C80 A
Gate-Emitter Leakage Curre100 nA
Power Dissipati306 W
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
封装 / 箱体
Package / Case
TO-247AC-3
Continuous Collector Current Ic Max80 A
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C
安装风格
Mounting Style
Through Hole

IRGP6650DPBF相似产品对比

IRGP6650DPBF IRGP6650D-EPBF
描述 igbt transistors 600v ultrafast igbt TO-247 igbt transistors 600v ultrafast igbt TO-247
Manufacture International Rectifie International Rectifie
产品种类
Product Category
IGBT Transistors IGBT Transistors
RoHS Yes Yes
Configurati Single Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.65 V 1.65 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 80 A 80 A
Gate-Emitter Leakage Curre 100 nA 100 nA
Power Dissipati 306 W 306 W
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 175 C + 175 C
封装 / 箱体
Package / Case
TO-247AC-3 TO-247AD-3
Continuous Collector Current Ic Max 80 A 80 A
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C - 40 C
安装风格
Mounting Style
Through Hole Through Hole

 
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