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MRF581A

产品描述transistors RF bipolar RF transistor
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小22KB,共1页
制造商All Sensors
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MRF581A在线购买

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MRF581A概述

transistors RF bipolar RF transistor

MRF581A规格参数

参数名称属性值
ManufactureAdvanced Semiconductor, Inc.
产品种类
Product Category
Transistors RF Bipol
RoHSYes
类型
Type
RF Bipolar Small Signal
Transistor PolarityNPN
DC Collector/Base Gain hfe Mi90
Maximum Operating Frequency1 GHz
Collector- Emitter Voltage VCEO Max15 V
Emitter- Base Voltage VEBO2.5 V
Continuous Collector Curre200 mA
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Power Dissipati1.25 W
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
Macro-X
系列
Packaging
Tray
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C

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MRF581A
NPN SILICON RF TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
ASI MRF581A
is Designed for
High current low Power Amplifier
Applications up to 1.0 GHz.
PACKAGE STYLE
Dim. Are in mm
FEATURES:
Low Noise Figure
Low Intermodulation Distortion
High Gain
Omnigold™
Metalization System
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CBO
V
CEO
V
EBO
P
DISS
T
J
T
STG
200 mA
30 V
15 V
2.5 V
1.25 W @ T
C
= 25 °C
-65 °C to +150 °C
-65 °C to +150 °C
Leads 1 and 3 = Emitter
2 = Collector
4 = Base
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
EBO
I
CBO
h
FE
C
cb
G
P
T
C
= 25 °C
NONETEST
CONDITIONS
I
C
= 1.0 mA
I
C
= 5.0 mA
I
E
= 100 µA
V
EB
= 2.0 V
V
CB
= 15 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 10 V
V
CC
= 10 V
I
C
= 50
I
C
= 50 mA
f = 1.0 MHz
f = 0.5 GHz
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
30
15
2.5
100
100
90
2.0
13
15.5
250
3.0
UNITS
V
V
V
µA
µA
---
pF
dB
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
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