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MRF555

产品描述transistors RF bipolar RF transistor
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小63KB,共3页
制造商All Sensors
标准
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MRF555概述

transistors RF bipolar RF transistor

MRF555规格参数

参数名称属性值
ManufactureAdvanced Semiconductor, Inc.
产品种类
Product Category
Transistors RF Bipol
RoHSYes
类型
Type
RF Bipolar Small Signal
Transistor PolarityNPN
DC Collector/Base Gain hfe Mi50
Maximum Operating Frequency470 MHz
Collector- Emitter Voltage VCEO Max16 V
Emitter- Base Voltage VEBO3 V
Continuous Collector Curre500 mA
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
Power Dissipati3 W
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
Case 317D-02
系列
Packaging
Tray
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
100

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MRF555
NPN SILICON RF TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
ASI MRF555
is designed for
Wideband large signal stages in the
UHF frequency range.
PACKAGE STYLE
FEATURES:
12.5 V, 470 MHz.
P
OUT
= 1.5 W
G
P
= 11 min.
• η
= 60 % (Typ)
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
MILLIMETERS
MIN
MAX
4.45
5.21
1.91
2.54
0.84
0.99
2.46
2.64
8.84
9.73
0.20
0.31
7.24
8.13
1.65
3.25
0.64
1.02
INCHES
MIN
MAX
.175
.205
.075
.100
.033
.039
.097
.104
.348
.383
.008
0.12
.285
.320
0.65
0.128
.025
0.40
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CBO
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
500 mA
30 V
3.0 W @ T
C
= 75 °C
-65 °C to +200 °C
-65 °C to +150 °C
41.7 °C/W
1 = COLLECTOR
2 = EMITTER
3 = BASE
4 = EMITTER
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CEO
BV
CES
BV
EBO
I
CES
h
FE
C
CB
G
PE
η
ψ
T
C
= 25 °C
NONETEST
CONDITIONS
I
C
= 5.0 mA
I
C
= 5.0 mA
I
E
= 0.1 mA
V
CE
= 15 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 10 V
V
CE
= 12.5 V
P
OUT
= 1.5 W
I
C
= 100 mA
f = 1.0 MHz
f = 470 MHz
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
16
30
3.0
5.0
50
200
5.5
11
50
10:1
12.5
60
UNITS
V
V
V
mA
---
pF
dB
%
---
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
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