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BUK9Y8R7-60E,115: 产品描述MOSfet N-channel 60 V 8.7 mo fet; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小343KB，共13页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com; 标准

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BUK9Y8R7-60E,115概述

MOSfet N-channel 60 V 8.7 mo fet

参数名称	属性值
Manufacture	NXP
产品种类 Product Category	MOSFET
RoHS	Yes
Transistor Polarity	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	15 V
Id - Continuous Drain Curre	86 A
Rds On - Drain-Source Resistance	6.8 mOhms
Configurati	Single
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.7 V
Qg - Gate Charge	31 nC
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipati	147 W
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	LFPAK-4
系列 Packaging	Reel
Channel Mode	Enhanceme
Fall Time	26 ns
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C
Rise Time	30 ns
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	1500
Typical Turn-Off Delay Time	42 ns

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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