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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> GBPC2506T
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GBPC2506T

产品描述bridge rectifiers 600 V - 25 A
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小307KB，共4页
制造商GeneSiC
官网地址http://www.genesicsemi.com/
标准
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GBPC2506T在线购买

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GBPC2506T概述

bridge rectifiers 600 V - 25 A

GBPC2506T规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompli
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
最大非重复峰值正向电流300 A
元件数量4
最高工作温度150 °C
最大输出电流25 A
最大重复峰值反向电压600 V
Base Number Matches1

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GBPC2506T/W thru GBPC2510T/W
Single Phase Glass Passivated
Silicon Bridge Rectifier
Features
• Integrally molded heat sink provides low thermal resistance
for maximum heat dissipation
• High surge current capability
• Universal 3-way terminals: snap on, wire-around, or P.C
board mounting
• High temperature soldering guaranteed: 260⁰C/ 10
seconds at 5 lbs (2.3 kg) tension
• Not ESD Sensitive
V
RRM
= 600 V - 1000 V
I
O
= 25 A
GBPC-T/W Package
Mechanical Data
Case: Molded plastic with heat sink integrally mounted in the bridge
encapsulation
Terminals: Either nickel plated 0.25". Faston lugs or copper leads
0.040" diameter.
Polarity: Polarrity symbols marked on the body
Mounting position: Bolt down on heat-sink with silicone thermal
compound between bridge and mounting surface
Weight: 15 grams or 0.53 ounces
Mounting torque: 20 inch-lbs max
Maximum ratings at Tc = 25 °C, unless otherwise specified (GBPCXXXXT uses GBPC-T package while GBPCXXXXW
uses GBPC-W package)
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
RMS reverse voltage
DC blocking voltage
Operating temperature
Storage temperature
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
T
j
T
stg
Conditions
GBPC2506T/W
600
420
600
-55 to 150
-55 to 150
GBPC2508T/W
800
560
800
-55 to 150
-55 to 150
GBPC2510T/W
1000
700
1000
-55 to 150
-55 to 150
Unit
V
V
V
°C
°C
Electrical characteristics at Tc = 25 °C, unless otherwise specified
Single phase, half sine wave, 60 Hz, resistive or inductive load
For capacitive load derate current by 20%
Parameter
Maximum average forward rectified
current
Peak forward surge current
Maximum instantaneous forward
voltage drop per leg
Maximum DC reverse current at
rated DC blocking voltage per leg
Rating for fusing
RMS isolation voltage from case to
leads
Symbol
I
O
I
FSM
V
F
I
R
I
2
t
V
ISO
C
j
R
ΘJC
Conditions
T
c
= 50 °C
single sine-wave
I
F
= 12.5 A
T
a
= 25 °C
T
a
= 125 °C
1 ms < t
m
< 8.3 ms
GBPC2506T/W
25.0
300
1.1
5
500
375
2500
300
1.9
GBPC2508T/W
25.0
300
1.1
5
500
375
2500
300
1.9
GBPC2510T/W
25.0
300
1.1
5
500
375
2500
300
1.9
Unit
A
A
V
μA
A
2
sec
V
pF
°C/W
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
Apr 2016
Latest version of this datasheet at: www.genesicsemi.com/silicon-products/bridge-rectifiers/
1

GBPC2506T相似产品对比

GBPC2506T GBPC2508W GBPC2506W GBPC2508T GBPC2510T
描述 bridge rectifiers 600 V - 25 A bridge rectifiers 800 V - 25 A bridge rectifiers 600 V - 25 A bridge rectifiers 800 V - 25 A DIODE BRIDGE 1000V 25A GBPC-T
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code compli compliant compliant compliant compliant
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V
最大非重复峰值正向电流 300 A 300 A 300 A 300 A 300 A
元件数量 4 4 4 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 25 A 25 A 25 A 25 A 25 A
最大重复峰值反向电压 600 V 800 V 600 V 800 V 1000 V
Base Number Matches 1 1 1 1 -
厂商名称 - GeneSiC GeneSiC GeneSiC GeneSiC

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