P6FMBJ150C-W,P6FMBJ150C-W pdf中文资料,P6FMBJ150C-W引脚图,P6FMBJ150C-W电路-Datasheet-电子工程世界

P6FMBJ150C-W: 产品描述tvs diodes - transient voltage suppressors bi-dir; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小33KB，共5页; 制造商Rectron Semiconductor; 官网地址http://www.rectron.com/; 标准

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P6FMBJ150C-W概述

tvs diodes - transient voltage suppressors bi-dir

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Rectron Semiconductor
零件包装代码	DO-214AA
包装说明	R-PDSO-C2
针数	2
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOW ZENER IMPEDANCE
最大击穿电压	165 V
最小击穿电压	135 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-214AA
JESD-30 代码	R-PDSO-C2
JESD-609代码	e3
最大非重复峰值反向功率耗散	600 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	BIDIRECTIONAL
最大功率耗散	5 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	121 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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