BY 500-50 … BY 500-1000
Fast Silicon Rectifiers
Schnelle Silizium Gleichrichter
Nominal current – Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions / Maße in mm
5A
50…1000 V
Ø 5.4 x 7.5 [mm]
1.4 g
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
see page 16
siehe Seite 16
Maximum ratings
Type
Typ
BY 500-50
BY 500-100
BY 500-200
BY 500-400
BY 500-600
BY 500-800
BY 500-1000
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
50
100
200
400
600
800
1000
T
A
= 50
/
C
f > 15 Hz
T
A
= 25
/
C
T
A
= 25
/
C
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
50
100
200
400
600
800
1000
I
FAV
I
FRM
I
FSM
i
2
t
T
j
T
S
5 A
1
)
20 A
1
)
200 A
200 A
2
s
– 50…+175
/
C
– 50…+175
/
C
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
118
01.10.2002
BY 500-50 … BY 500-1000
Characteristics
Forward voltage
Durchlaßspannung
Leakage current – Sperrstrom
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
T
j
= 25
/
C
T
j
= 25
/
C
I
F
= 5 A
V
R
= V
RRM
V
F
I
R
t
rr
R
thA
Kennwerte
< 1.3 V
< 10
:
A
< 200 ns
< 25 K/W
1
)
I
F
= 0.5 A through/über
I
R
= 1 A to/auf I
R
= 0.25 A
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
01.10.2002
119
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