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SM3GZ47

产品描述TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小208KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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SM3GZ47概述

TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE

SM3GZ47规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
换向电压的临界上升率-最小值10 V/us
最大直流栅极触发电流20 mA
最大直流栅极触发电压1.5 V
最大维持电流30 mA
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大漏电流0.02 mA
元件数量1
端子数量3
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大均方根通态电流3 A
重复峰值关态漏电流最大值20 µA
断态重复峰值电压400 V
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
触发设备类型TRIAC

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SM3GZ47,SM3JZ47
TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE
SM3GZ47,SM3JZ47
AC POWER CONTROL APPLICATIONS
l
Repetitive Peak Off−State Voltage : V
DRM
= 400, 600V
l
R.M.S ON−State Current
: I
T (RMS)
= 3A
l
High Commutating (dv / dt)
l
Isolation Voltage
: V
ISOL
=
1500V
AC
Unit: mm
MAXIMUM RATINGS
CHARACTERISTIC
Repetitive Peak
Off−State Voltage
SM3GZ47
SM3JZ47
SYMBOL
V
DRM
I
T (RMS)
I
TSM
I t
di / dt
P
GM
P
G (AV)
V
GM
I
GM
T
j
T
stg
V
ISOL
2
RATING
400
600
3
30 (50Hz)
33 (60Hz)
4.5
50
5
0.5
10
2
−40~125
−40~125
1500
UNIT
V
A
A
A s
A / µs
W
W
V
A
°C
°C
V
2
R.M.S On−State Current
(Full Sine Waveform Tc = 110°C)
Peak One Cycle Surge On−State
Current (Non-Repetitive)
I t Limit Value (t = 1~10ms)
Critical Rate of Rise of On−State
Current
(Note 1)
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Voltage
Peak Gate Current
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Isolation Voltage (AC, t = 1min.)
2
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
Weight: 1.7g
13−10H1A
Note 1: di / dt test condition
V
DRM
= 0.5×Rated
I
TM
4.5A
t
gw
10µs
t
gr
250ns
i
gp
= I
GT
×2.0
1
2001-07-13

SM3GZ47相似产品对比

SM3GZ47 SM3JZ47
描述 TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
换向电压的临界上升率-最小值 10 V/us 10 V/us
最大直流栅极触发电流 20 mA 20 mA
最大直流栅极触发电压 1.5 V 1.5 V
最大维持电流 30 mA 30 mA
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
最大漏电流 0.02 mA 0.02 mA
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大均方根通态电流 3 A 3 A
重复峰值关态漏电流最大值 20 µA 20 µA
断态重复峰值电压 400 V 600 V
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
触发设备类型 TRIAC TRIAC

 
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