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RN2426

产品描述PNP EPITAXIAL TYPE (SWITCHING, INVERTER CIRCUIT, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATIONS)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小331KB,共8页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN2426概述

PNP EPITAXIAL TYPE (SWITCHING, INVERTER CIRCUIT, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATIONS)

RN2426规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Toshiba(东芝)
零件包装代码SC-59
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 10
最大集电极电流 (IC)0.8 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)90
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz

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RN2421~RN2427
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
RN2421,RN2422,RN2423,RN2424
RN2425,RN2426,RN2427
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
l
l
l
l
l
l
High current type (I
C(MAX)
=
−800mA)
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Low V
CE (sat)
Complementary to RN1421~RN1427
Unit: mm
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
Type No.
RN2421
RN2422
RN2423
RN2424
RN2425
RN2426
RN2427
R1 (kΩ)
1
2.2
4.7
10
0.47
1
2.2
R2 (kΩ)
1
2.2
4.7
10
10
10
10
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
SC-59
2-3F1A
Weight: 0.012 g (typ.)
Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
°
Characteristics
Collector-Base voltage
Collector-Emitter voltage
RN2421~2427
RN2421~2424
Emitter-Base voltage
RN2425, 2426
RN2427
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN2421~2427
I
c
P
c
T
j
T
stg
V
EBO
Symbol
V
CBO
V
CEO
Rating
−50
−50
−10
−5
−6
−800
200
150
−55~150
mA
mW
°C
°C
V
Unit
V
V
1
2001-11-29

RN2426相似产品对比

RN2426 RN2422 RN2423 RN2424 RN2425 5000 RN2421
描述 PNP EPITAXIAL TYPE (SWITCHING, INVERTER CIRCUIT, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATIONS) PNP EPITAXIAL TYPE (SWITCHING, INVERTER CIRCUIT, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATIONS) PNP EPITAXIAL TYPE (SWITCHING, INVERTER CIRCUIT, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATIONS) PNP EPITAXIAL TYPE (SWITCHING, INVERTER CIRCUIT, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATIONS) PNP EPITAXIAL TYPE (SWITCHING, INVERTER CIRCUIT, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATIONS) Evaluation Board (ADM00805) User’s Guide PNP EPITAXIAL TYPE (SWITCHING, INVERTER CIRCUIT, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATIONS)
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 - 符合
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) - Toshiba(东芝) - - Toshiba(东芝)
零件包装代码 SC-59 SC-59 SC-59 SC-59 SC-59 - SC-59
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3 3 3 3 - 3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow - unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99
其他特性 BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 10 BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1 BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1 BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1 BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 21.28 - BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1
最大集电极电流 (IC) 0.8 A 0.8 A 0.8 A 0.8 A 0.8 A - 0.8 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V - 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR - SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 90 65 70 90 90 - 60
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 - R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1 1 1 - 1
端子数量 3 3 3 3 3 - 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C - 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP - PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W 0.2 W 0.2 W 0.2 W 0.2 W - 0.2 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES - YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING - GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON - SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz - 200 MHz
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