电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

BY398

产品描述3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小40KB,共1页
制造商Bytes
下载文档 选型对比 全文预览

BY398在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
BY398 - - 点击查看 点击购买

BY398概述

3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

文档预览

下载PDF文档
BY396
3.0 AMP FAST RECOVERY RECTIFIERS
THRU
BY399
o
VOLTAGE RANGE
50 to 1000 Volts
CURRENT
FEATURES
* Low forward voltage drop
* High current capability
* High reliability
* High surge current capability
3.0 Ampere
DO-27
.220(5.6)
.197(5.0)
DIA.
1.0(25.4)
MIN.
MECHANICAL DATA
* Case: Molded plastic
* Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
* Lead: Axial leads, solderable per MIL-STD-202,
method 208 guranteed
* Polarity: Color band denotes cathode end
* Mounting position: Any
* Weight: 1.10 grams
.375(9.5)
.285(7.2)
.052(1.3)
.048(1.2)
DIA.
1.0(25.4)
MIN.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating 25 C ambient temperature uniess otherwies specified.
Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
TYPE NUMBER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
.375"(9.5mm) Lead Length at Ta=75 C
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 3.0A
Maximum DC Reverse Current
Ta=25 C
at Rated DC Blocking Voltage
Ta=100 C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Operating and Storage Temperature Range Tj, TSTG
NOTES:
By396
BY397
BY398
By399
UNITS
V
V
V
A
A
V
mA
100
70
100
200
140
200
3.0
200
1.25
5.0
150
150
60
-65 +150
400
280
400
800
560
800
250
mA
nS
pF
C
1. Reverse Recovery Time test condition: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A
2. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
98

BY398相似产品对比

BY398 BY396 BY397 By399
描述 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
【RT-Thread读书笔记】第一周:初识
本帖最后由 数码小叶 于 2019-4-22 21:04 编辑 真的很高兴这次能有机会参加参加这个读书月的活动,就像主题说的那样,“读一本技术好书,写下你的读书笔记”,读过,当然要记录下学习 ......
数码小叶 实时操作系统RTOS
《evc高级编程及其应用开发》例程中这样用OnOk(),OnClose(), 为何?
void CDlgSeriesSetup::OnBtnopen() { CComboBox *pCmbName = NULL; CComboBox *pCmbBaud = NULL; CComboBox *pCmbParity = NULL; CComboBox *pCmbDataBits = NULL; CComboBox *pCm ......
nightelf 嵌入式系统
手机功率辐射和接收机特性测量技术
手机射频特性测量解决方案包括辐射功率和接收机特性的测量,本文介绍了测试原理和测试系统的组成以及测试过程,同时介绍了在GSM、CDMA等测量中的应用。 在现代网络中,好的辐射特性是手机有效 ......
fly 无线连接
达林顿管电路的分析
这个电路图该如何解?求教各位大神!!万分感激!!!(图取自uln2003d,达林顿管) ...
小瓜子 51单片机
小白求助。。。
在IAR新建的同一个工程下,有很多.c文件,在其中一个中声明一个变量,怎么在其他文件中直接使用?我在一个原本可以的程序里只是把声明的变量名同时改了(包括在其他.c文件使用时),立马就报错 ......
东方龙未名 微控制器 MCU
MSP430单片机的LCD液晶模块详解:LCD、LCD_A、LCD_B、LCD_C、LCD_E
此内容由EEWORLD论坛网友tiankai001原创,如需转载或用于商业用途需征得作者同意并注明出处 之前我们了解过了MSP430单片机的强大的串行通信模块(见《MSP430单片机中串行通信 ......
tiankai001 微控制器 MCU

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2058  1561  2745  1673  651  44  7  15  2  54 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved