Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> BY329F-1000

BY329F-1000: 产品描述Triac; Thyristor Type:Logic Level; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On State RMS Current, IT(rms):6A; Gate Trigger Current (QI), Igt:10mA; Current, It av:6A; Gate Trigger Current Max, Igt:10mA RoHS Compliant: Yes; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小44KB，共7页; 制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.); 官网地址https://www.nxp.com/

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BY329F-1000概述

Triac; Thyristor Type:Logic Level; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On State RMS Current, IT(rms):6A; Gate Trigger Current (QI), Igt:10mA; Current, It av:6A; Gate Trigger Current Max, Igt:10mA RoHS Compliant: Yes

BY329F-1000规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
Reach Compliance Code	unknow
配置	SINGLE
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.85 V
JESD-609代码	e0
最大非重复峰值正向电流	65 A
元件数量	1
最高工作温度	150 °C
最大输出电流	8 A
最大重复峰值反向电压	1000 V
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)

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Philips Semiconductors

Product specification

Rectifier diodes

fast, soft-recovery

FEATURES

• Low forward volt drop

• Fast switching

• Soft recovery characteristic

• High thermal cycling performance

• Isolated mounting tab

BY329F, BY329X series

SYMBOL

QUICK REFERENCE DATA

= 800 V/ 1000 V/ 1200 V

F(AV)

= 8 A

FSM

≤

65 A

≤

145 ns

GENERAL DESCRIPTION

Glass-passivated double diffused rectifier diodes featuring low forward voltage drop, fast reverse recovery and soft

recovery characteristic. The devices are intended for use in TV receivers, monitors and switched mode power supplies.

The BY329F series is supplied in the conventional leaded SOD100 package.

The BY329X series is supplied in the conventional leaded SOD113 package.

PINNING

tab

DESCRIPTION

cathode

anode

isolated

SOD100

case

SOD113

case

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).

SYMBOL

RSM

RRM

RWM

F(AV)

PARAMETER

Peak non-repetitive reverse

voltage

Peak repetitive reverse voltage

Crest working reverse voltage

Average forward current

square wave;

= 0.5;

≤

83 ˚C

sinusoidal; a = 1.57;

≤

90 ˚C

t = 25

µs; δ

= 0.5;

≤

83 ˚C

t = 10 ms

t = 8.3 ms

sinusoidal; T

= 150 ˚C prior

to surge; with reapplied

RWM(max)

t = 10 ms

CONDITIONS

BY329F / BY329X

MIN.

-800

800

600

MAX.

-1000 -1200

1000 1200

1000

800

1200

1000

UNIT

F(RMS)

FRM

FSM

RMS forward current

Peak repetitive forward current

Peak non-repetitive forward

current.

stg

t for fusing

Storage temperature

Operating junction temperature

-40

150

˚C

1. Neglecting switching and reverse current losses.

September 1998

Rev 1.100

BY329F-1000相似产品对比

	BY329F-1000	BY329	BY329F	BY329F-800	BY329X-1000	BY329F-1200
描述	Triac; Thyristor Type:Logic Level; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On State RMS Current, IT(rms):6A; Gate Trigger Current (QI), Igt:10mA; Current, It av:6A; Gate Trigger Current Max, Igt:10mA RoHS Compliant: Yes	Triac; Thyristor Type:Snubberless; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On State RMS Current, IT(rms):6A; Gate Trigger Current (QI), Igt:35mA; Current, It av:6A; Gate Trigger Current Max, Igt:35mA RoHS Compliant: Yes	Triac; Thyristor Type:Snubberless; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On State RMS Current, IT(rms):6A; Gate Trigger Current (QI), Igt:35mA; Current, It av:6A; Gate Trigger Current Max, Igt:35mA RoHS Compliant: Yes	Triac; Thyristor Type:Standard; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:800V; On-State RMS Current, IT(rms):6A; Gate Trigger Current (QI), Igt:50mA; Current, It av:6A; Gate Trigger Current Max, Igt:50mA RoHS Compliant: Yes	Triac; Thyristor Type:Snubberless; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:800V; On State RMS Current, IT(rms):6A; Gate Trigger Current (QI), Igt:35mA; Current, It av:6A; Gate Trigger Current Max, Igt:35mA RoHS Compliant: Yes	Triac; Thyristor Type:Logic Level; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On State RMS Current, IT(rms):6A; Gate Trigger Current (QI), Igt:5mA; Current, It av:6A; Gate Trigger Current Max, Igt:5mA RoHS Compliant: Yes
是否Rohs认证	不符合	-	-	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)	-	-	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
Reach Compliance Code	unknow	-	-	unknow	unknow	unknow
配置	SINGLE	-	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管类型	RECTIFIER DIODE	-	-	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.85 V	-	-	1.85 V	1.85 V	1.85 V
JESD-609代码	e0	-	-	e0	e0	e0
最大非重复峰值正向电流	65 A	-	-	65 A	65 A	65 A
元件数量	1	-	-	1	1	1
最高工作温度	150 °C	-	-	150 °C	150 °C	150 °C
最大输出电流	8 A	-	-	8 A	8 A	8 A
最大重复峰值反向电压	1000 V	-	-	800 V	1000 V	1200 V
表面贴装	NO	-	-	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)

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