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1N4005G

产品描述1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小164KB,共4页
制造商TM Technology, Inc.
官网地址http://www.tmtech.com.tw/
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1N4005G概述

1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

1 A, 600 V, 硅, 信号二极管, DO-41

1N4005G规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述GREEN, PLASTIC PACKAGE-2
状态ACTIVE
包装形状ROUND
包装尺寸LONG FORM
端子形式WIRE
端子涂层PURE TIN
端子位置AXIAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE
壳体连接ISOLATED
二极管元件材料SILICON
二极管类型SIGNAL DIODE
最大重复峰值反向电压600 V
最大平均正向电流1 A

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1N4001G - 1N4007G
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
1A, 50V - 1000V Glass Passivated Rectifiers
FEATURES
- Glass passivated chip junction
- High current capability, Low VF
- High reliability
- High surge current capability
- Low power loss, high efficiency
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
MECHANICAL DATA
Case:
DO-204AL (DO-41)
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Part No. with suffix "H" means AEC-Q101 qualified
Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free)
Terminal:
Pure tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 2 whisker test
Weight:
0.33 g (approximately)
DO-204AL (DO-41)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
@1A
Maximum reverse current @ rated VR
Typical junction capacitance (Note 2)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note1: Pulse Test with PW=300μs, 1% Duty Cycle
Note2: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.
T
J
=25 °C
T
J
=125 °C
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θJA
T
J
T
STG
1N
50
35
50
1N
100
70
100
1N
200
140
200
1N
400
280
400
1
30
1.0
5
100
10
80
- 55 to +150
- 55 to +150
1N
600
420
600
1N
800
560
800
1N
1000
700
1000
4001G 4002G 4003G 4004G 4005G 4006G 4007G
UNIT
V
V
V
A
A
V
μA
pF
°C/W
°C
°C
Document Number: DS_D1410021
Version: O15

1N4005G相似产品对比

1N4005G 1N4007G 1N4001G 1N4004G 1N4006G 1N4003G 1N4002G 1N4001G_16
描述 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 SILICON, SIGNAL DIODE SIGNAL DIODE SIGNAL DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
端子数量 2 2 2 2 - - - 2
元件数量 1 1 1 1 - - - 1
加工封装描述 GREEN, PLASTIC PACKAGE-2 塑料 PACKAGE-2 塑料, DO-41, 2 PIN 塑料 PACKAGE-2 - - - 塑料 PACKAGE-2
状态 ACTIVE ACTIVE ACTIVE DISCONTINUED - ACTIVE ACTIVE ACTIVE
包装形状 ROUND - - -
包装尺寸 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM - - - LONG FORM
端子形式 WIRE 线 线 线 - - - 线
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL - - - AXIAL
包装材料 PLASTIC/EPOXY 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 - - - 塑料/环氧树脂
结构 SINGLE 单一的 单一的 单一的 - - - 单一的
壳体连接 ISOLATED 隔离 隔离 隔离 - - - 隔离
二极管元件材料 SILICON - - -
二极管类型 SIGNAL DIODE 信号二极管 信号二极管 信号二极管 - 信号二极管 SIGNAL DIODE 信号二极管
最大重复峰值反向电压 600 V 1000 V 50 V 400 V - - - 1000 V
最大平均正向电流 1 A 1 A 1 A 1 A - - - 1 A
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