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S1NB20

产品描述1 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小76KB,共5页
制造商SHINDENGEN
官网地址https://www.shindengen.com
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S1NB20概述

1 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

S1NB20规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明R-PDSO-G4
针数4
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.05 V
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e0
湿度敏感等级2
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)240
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

 
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