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BY252

产品描述3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别半导体    分立半导体   
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BY252概述

3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

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BY251
3.0 AMP SILICON RECTIFIERS
THRU
BY255
VOLTAGE RANGE
200 to 1300 Volts
CURRENT
FEATURES
* Low forward voltage drop
* High current capability
* High reliability
* High surge current capability
3.0 Amperes
DO-27
.220(5.6)
.197(5.0)
DIA.
1.0(25.4)
MIN.
MECHANICAL DATA
* Case: Molded plastic
* Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
* Lead: Axial leads, solderable per MIL-STD-202,
method 208 guranteed
* Polarity: Color band denotes cathode end
* Mounting position: Any
* Weight: 1.10 grams
.375(9.5)
.285(7.2)
.052(1.3)
.048(1.2)
DIA.
1.0(25.4)
MIN.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating 25 C ambient temperature uniess otherwies specified.
Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
TYPE NUMBER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
.375"(9.5mm) Lead Length at Ta=75 C
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 3.0A
Maximum DC Reverse Current
Ta=25 C
at Rated DC Blocking Voltage
Ta=100 C
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Typical Thermal Resistance R
θ
JA (Note 2)
Operating and Storage Temperature Range T
J
, T
STG
NOTES:
BY251
BY252
BY253
BY254
BY255
200
140
200
400
280
400
600
420
600
3.0
200
1.0
5.0
50
40
30
-65
+150
800
560
800
1300
910
1300
UNITS
V
V
V
A
A
V
µA
µA
pF
C/W
C
1. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
2. Thermal Resistance from Junction to Ambient .375" (9.5mm) lead length.
124

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描述 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 1300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
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