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RS1A

产品描述0.7 A, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小571KB,共2页
制造商Yenyo Technology Co., Ltd.
官网地址http://www.yenyo.com.tw/
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RS1A概述

0.7 A, SILICON, SIGNAL DIODE

0.7 A, 硅, 信号二极管

RS1A规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述AXIAL PACKAGE-2
状态ACTIVE
包装形状ROUND
包装尺寸LONG FORM
端子形式WIRE
端子涂层TIN LEAD
端子位置AXIAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE
壳体连接ISOLATED
二极管元件材料SILICON
二极管类型SIGNAL DIODE
反向恢复时间最大1.5 us
最大平均正向电流0.7000 A

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YENYO
Surface Mount Fast Recovery Rectifier
Voltage Range 50 to 1000 V
Current 1.0 Ampere
SMA/DO-214AC
RS1A THRU RS1M
Features
Fast switching for high efficiency
Low forward voltage drop
High current capability
Low reverse leakage current
High surge current capability
Glass passivated chip
Mechanical Data
Case: Molded plastic SMA/DO-214AC
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
Terminals: Solderable per MIL-STD-750
method 2026
Polarity:Color band denotes cathode
Mounting position: Any
Weight: 0.064 gram
.055(1.40)
.062(1.60)
.098(2.50)
.114(2.90)
.157(4.00)
.181(4.60)
.006(.152)
.012(.305)
.078(2.00)
.096(2.44)
.002(.051)
.008(.203)
.188(4.80)
.208(5.28)
.030(0.76)
.060(1.52)
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25
o
C
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
PARAMTER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified
Current T
A
=55
C
Peak Forward Surge Current, 8.3ms single
Half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage
@ 1.0 A
Maximum DC Reverse Current @T
J
=25
C
At Rated DC Blocking Voltage @T
J
=125
C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance (Note 3)
Operating Junction and Storage
Temperature Range
o
o
o
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
IF
(AV)
RS1A
50
35
50
RS1B
100
70
100
RS1D
200
140
200
RS1G
400
280
400
1.0
RS1J
600
420
600
RS1K
800
560
800
RS1M UNIT
1000
700
1000
V
V
V
A
I
FSM
30
A
V
F
I
R
Trr
C
J
R
JA
T
J
, T
STG
150
1.3
5.0
100
250
15
75
-55 to + 150
o
V
uA
uA
500
nS
pF
CW
o
C
NOTES : (1) Reverse recovery test conditions I
F
= 0.5A, I
R
= 1.0A, Irr = 0.25A.
(2) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts DC.
(3) Thermal Resistance junction to ambient.
1/2
R1, MAY-12

RS1A相似产品对比

RS1A RS1K
描述 0.7 A, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC
端子数量 2 2
元件数量 1 1
加工封装描述 AXIAL PACKAGE-2 LEAD FREE, PLASTIC, SMA, 2 PIN
状态 ACTIVE ACTIVE
包装形状 ROUND RECTANGULAR
包装尺寸 LONG FORM SMALL OUTLINE
端子形式 WIRE C BEND
端子位置 AXIAL DUAL
包装材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
结构 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 SIGNAL DIODE SIGNAL DIODE
反向恢复时间最大 1.5 us 0.5000 us
最大平均正向电流 0.7000 A 1 A
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