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BY251

产品描述3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小229KB,共2页
制造商DCCOM [ DC COMPONENTS ]
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BY251概述

3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

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DC COMPONENTS CO., LTD.
R
BY251
THRU
BY255
RECTIFIER SPECIALISTS
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SILICON RECTIFIER
VOLTAGE RANGE - 200 to 1300 Volts CURRENT - 3.0 Amperes
FEATURES
*
*
*
*
Low cost
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
DO-27
MECHANICAL DATA
*
*
*
*
*
*
Case: Molded plastic
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
Lead: MIL-STD-202E, Method 208 guaranteed
Polarity: Color band denotes cathode end
Mounting position: Any
Weight: 1.18 grams
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Dimensions in inches and (millimeters)
o
SYMBOL
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
.375*(9.5mm) lead length at T
L
= 105
o
C
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC Method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 3.0A DC
Maximum DC Reverse Current
@T
A
= 25
o
C
at Rated DC Blocking Voltage
@T
A
= 100
o
C
Maximum Full Load Reverse Current Average, Full Cycle
.375*(9.5mm) lead length at T
L
= 75
o
C
Typical Junction Capacitance (Note)
Typical Thermal Resistance
Operating and Storage Temperature Range
NOTES : Measured at 1 MH
Z
and applied reverse voltage of 4.0 volts
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
V
F
BY251
200
140
200
BY252
400
280
400
BY253
600
420
600
3.0
200
1.1
5.0
500
30
BY254
800
560
800
BY255
1300
910
1300
UNITS
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps
Volts
uAmps
uAmps
pF
0
I
R
C
J
R
q
JA
T
J
, T
STG
40
30
-65 to + 175
C/ W
0
C
114

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