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NTE5446

产品描述Silicon Controlled Rectifier (SCR) 8 Amp
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小21KB,共2页
制造商NTE
官网地址http://www.nteinc.com
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NTE5446概述

Silicon Controlled Rectifier (SCR) 8 Amp

NTE5446规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknow
其他特性SENSITIVE GATE
外壳连接ANODE
配置SINGLE
最大直流栅极触发电流30 mA
最大直流栅极触发电压1.5 V
最大维持电流40 mA
JEDEC-95代码TO-127
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
通态非重复峰值电流80 A
元件数量1
端子数量3
最大通态电流8000 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
认证状态Not Qualified
最大均方根通态电流8 A
断态重复峰值电压400 V
重复峰值反向电压400 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
触发设备类型SCR
Base Number Matches1

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NTE5442 thru NTE5448
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
8 Amp
Description:
The NTE5442 thru NTE5448 are silicon controlled rectifiers (SCR’s) in a TO127 type package de-
signed for high–volume consumer phase–control applications such as motor speed, temperature,
and light controls, and for fast switching applications in ignition and starting systems, voltage regula-
tors, vending machines, and lamp drivers.
Features:
D
Small, Rugged Construction
D
Practical Level Triggering and Holding Characteristics @ +25°C:
I
GT
= 7mA Typ
I
Hold
= 6mA Typ
D
Low “ON” Voltage: V
TM
= 1V Typ @ 5A @ +25°C
D
High Surge Current Rating: I
TSM
= 80A
Absolute Maximum Ratings:
(Note 1, T
J
= +100°C unless otherwise specified)
Peak Repetitive Forward and Reverse Blocking Voltage (Note 2), V
DRM
or V
RRM
NTE5442 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
NTE5444 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
NTE5446 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
NTE5448 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
Non–Repetitive Peak Reverse Blocking Voltage (t = 5ms (max) duration), V
RSM
NTE5442 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75V
NTE5444 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V
NTE5446 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V
NTE5448 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V
RMS On–State Current (All Conduction Angles), I
T(RMS)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A
Average On–State Current (T
C
= +73°C), I
T(AV)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.1A
Peak Non–Repetitive Surge Current, I
TSM
(1/2 cycle, 60Hz preceeded and followed by rated current and voltage) . . . . . . . . . . . . . 80A
Circuit Fusing (T
J
= –40° to +100°C, t = 1ms to 8.3ms), I
2
t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A
2
sec
Peak Gate Power, P
GM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5W
Average Gate Power, P
G(AV)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW
Peak Forward Gate Current, I
GM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A
Peak Reverse Gate Voltage, V
RGM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V
Operating Junction Temperature Range, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +100°C
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C
Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Case, R
thJC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5°C/W
Typical Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R
thJA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40°C/W
Note 1.
NTE5444
and
NTE5446
are
discontinued
devices and are replaced by
NTE5448.
Note 2. Ratings apply for zero or negative gate voltage but positive gate voltage shall not be applied
concurrently with a negative potential on the anode. When checking forward or reverse
blocking capability, thyristor devices should not be tested with a constant current source in
a manner that the voltage applied exceeds the rated blocking voltage.

NTE5446相似产品对比

NTE5446 NTE5444 NTE5448 NTE5442
描述 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 8 Amp Silicon Controlled Rectifier (SCR) 8 Amp Silicon Controlled Rectifier (SCR) 8 Amp Silicon Controlled Rectifier (SCR) 8 Amp
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 -
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 -
Reach Compliance Code unknow unknow unknow -
其他特性 SENSITIVE GATE SENSITIVE GATE SENSITIVE GATE -
外壳连接 ANODE ANODE ANODE -
配置 SINGLE SINGLE SINGLE -
最大直流栅极触发电流 30 mA 30 mA 30 mA -
最大直流栅极触发电压 1.5 V 1.5 V 1.5 V -
最大维持电流 40 mA 40 mA 40 mA -
JEDEC-95代码 TO-127 TO-127 TO-127 -
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 -
JESD-609代码 e0 e0 e0 -
通态非重复峰值电流 80 A 80 A 80 A -
元件数量 1 1 1 -
端子数量 3 3 3 -
最大通态电流 8000 A 8000 A 8000 A -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
最大均方根通态电流 8 A 8 A 8 A -
断态重复峰值电压 400 V 200 V 600 V -
重复峰值反向电压 400 V 200 V 600 V -
表面贴装 NO NO NO -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE -
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE -
触发设备类型 SCR SCR SCR -

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