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1N5408G

产品描述3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-27
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小561KB,共2页
制造商Yenyo Technology Co., Ltd.
官网地址http://www.yenyo.com.tw/
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1N5408G概述

3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-27

3 A, 1000 V, 硅, 整流二极管, DO-27

1N5408G规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
状态CONSULT MFR
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子位置AXIAL
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型整流二极管
应用GENERAL PURPOSE
相数1
最大重复峰值反向电压1000 V
最大平均正向电流3 A
最大非重复峰值正向电流200 A

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1N5400G THRU 1N5408G
YENYO
Glass Passivated Standard Rectifier
Features
Low forward voltage drop
High current capability
Low reverse leakage current
High surge current capability
Mechanical Data
Case: Molded plastic DO-201AD
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
Terminals: Solderable per MIL-STD-202
method 208 guaranteed
Polarity:Color band denotes cathode end
Mounting position: Any
Weight: 1.1 gram
Voltage Range 50 to 1000 V
Current 3.0 Ampere
DO-201AD
.052(1.3)
.048(1.2)
1.0(25.4)
MIN.
DIA.
.375(9.5)
.285(7.2)
.210(5.3)
1.0(25.4)
MIN.
.190(4.8)
DIA.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25
o
C
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
PARAMTER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified
Current T
L
=75
C
Peak Forward Surge Current, 8.3ms single
Half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage
@ 3.0 A
Maximum DC Reverse Current @T
J
=25
C
o
At Rated DC Blocking Voltage @T
J
=125
C
Typical junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance (Note1)
Operating Junction and Storage
Temperature Range
o
o
1N
SYMBOL 5400G
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
50
35
50
1N
5401G
100
70
100
1N
5402G
200
140
200
1N
5404G
400
280
400
3.0
1N
5406G
600
420
600
1N
5407G
800
560
800
1N
5408G UNIT
1000
700
1000
V
V
V
A
I
FSM
150
A
V
F
I
R
C
J
R
JA
1.1
5.0
150
40
15
-55 to +150
o
V
uA
uA
pF
C/W
o
T
J
,T
STG
C
NOTES : (1) Thermal Resistance junction to lead.
(2) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts DC.
1/2
R1, MAY-12

1N5408G相似产品对比

1N5408G 1N5404G 1N5402G 1N5400G 1N5401G 1N5406G
描述 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-27 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-27 RECTIFIER DIODE

 
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