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MJE13003B

产品描述NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor
文件大小201KB,共2页
制造商MCC
官网地址http://www.mccsemi.com
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MJE13003B概述

NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor

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MCC
TM
Micro Commercial Components
  omponents
20736 Marilla Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
MJE13003B
Features
Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates
Lead Free
RoHS Compliant. See ordering information)
Capable of 1.0Watts of Power Dissipation.
Collector-current 1.5A
Collector-base Voltage 700V
Operating and storage junction temperature range: -55
O
C to +150
O
C
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisure Sensitivity Level 1
NPN Silicon
Plastic-Encapsulate
Transistor
TO-92
A
E
Marking:3DD13003
Electrical Characteristics @ 25
O
C Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
C
=10mAdc, I
B
=0)
Collector-Base Breakdown Voltage
(I
C
=1000uAdc, I
E
=0)
Emitter-Base Breakdown Voltage
(I
E
=1000uAdc, I
C
=0)
Collector Cutoff Current
(V
CB
=700Vdc, I
E
=0)
Collector Cutoff Current
(V
CE
=400Vdc,I
B
=0)
Emitter Cutoff Current
(V
EB
=7.0Vdc, I
C
=0)
DC Current Gain
(I
C
=0.4Adc, V
CE
=10Vdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=500mAdc, I
B
=100mAdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=1500mAdc, I
B
=500mAdc)
Base-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=500mAdc, I
B
=100mAdc)
Min
400
700
9.0
1000
500
100
Max
Units
Vdc
Vdc
Vdc
uAdc
uAdc
uAdc
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
CEO
I
EBO
B
C
ON CHARACTERISTICS
h
FE
V
CE(sat)
V
CE(sat)
V
BE(sat)
20
40
0.8
3.0
1.0
Vdc
Vdc
Vdc
D
G
E
C
B
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.170
.170
.550
.010
.130
.096
MM
MAX
.190
.190
.590
.020
.160
.104
MIN
4.33
4.30
13.97
0.36
3.30
2.44
MAX
4.83
4.83
14.97
0.56
3.96
2.64
NOTE
DIM
A
B
C
D
E
G
www.mccsemi.com
Revision:
A
1 of 2
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