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GBU4J

产品描述3 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小586KB,共3页
制造商AMERICASEMI [America Semiconductor, LLC]
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GBU4J概述

3 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

3 A, 600 V, 硅, 桥式整流二极管

GBU4J规格参数

参数名称属性值
端子数量4
元件数量4
最大平均输入电流3 A
加工封装描述塑料, GBU, 4 PIN
状态TRANSFERRED
包装形状矩形的
包装尺寸凸缘安装
端子形式THROUGH-孔
端子涂层NOT SPECIFIED
端子位置单一的
包装材料塑料/环氧树脂
结构桥, 4 ELEMENTS
二极管元件材料
二极管类型桥式整流二极管
相数1
最大重复峰值反向电压600 V
最大非重复峰值正向电流150 A

GBU4J相似产品对比

GBU4J GBU4M
描述 3 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
状态 TRANSFERRED ACTIVE
二极管类型 桥式整流二极管 桥式整流二极管

 
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