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BUZ325

产品描述SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小134KB,共9页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
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BUZ325概述

SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)

BUZ325规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SIEMENS
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
雪崩能效等级(Eas)670 mJ
配置SINGLE
最小漏源击穿电压400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)12.5 A
最大漏极电流 (ID)12.5 A
最大漏源导通电阻0.35 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)170 pF
JEDEC-95代码TO-218
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值125 W
最大功率耗散 (Abs)125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)50 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)600 ns
最大开启时间(吨)180 ns
Base Number Matches1

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