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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BUZ341
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BUZ341

产品描述SIPMOS Power Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小93KB，共8页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

BUZ341概述

SIPMOS Power Transistor

BUZ341规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码SOT-93
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）790 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)33 A
最大漏极电流 (ID)33 A
最大漏源导通电阻0.07 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-218AA
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)170 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)132 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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