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RB481Y_09

产品描述Schottky Barrier Diode
文件大小187KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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RB481Y_09概述

Schottky Barrier Diode

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Schottky Barrier Diode
RB481Y
●Applications
Low current rectification
●Dimensions
(Unit : mm)
●Land
size figure (Unit : mm)
0.5
1.6±0.1
1.6±0.05
0.22±0.05
0.13±0.05
(3)
0.45
1.2±0.1
1.6±0.1
●Features
1)Ultra small mold type. (EMD4)
2)Low VF
3)High reliability
(4)
1.0
0½0.1
EMD4
●Construction
Silicon epitaxial planar
(1)
0.5
1.0±0.1
0.5
(2)
●Structure
0.5±0.05
ROHM : EMD4
JEITA : SC-75A Size
dot (year week factory)
●Taping
specifications (Unit : mm)
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.5±0.1
      0
1.75±0.1
0.3±0.1
3.5±0.05
1.65±0.1
5.5±0.2
8.0±0.2
1.55
φ0.8±0.1
0½0.1
0.65±0.1
1.65±0.1
1PIN
4.0±0.1
●Absolute
maximum ratings (Ta=25℃)
Parameter
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current(*1)
Forward current surge peak
(60Hz・1cyc)(*1)
Junction temperature
Storage temperature
(*1) Rating of per diode
Symbol
V
R
Io
I
FSM
Tj
Tstg
Limits
30
100
1
125
-40 to +125
Unit
V
mA
A
●Electrical
characteristics (Ta=25
℃)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Symbol
V
F
1
V
F
2
V
F
3
I
R
Min.
-
-
-
-
Typ.
0.17
0.24
0.34
4
Max.
0.28
0.33
0.43
30
Unit
V
V
V
µA
Conditions
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=100mA
V
R
=10V
www.rohm.com
©2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/3
2009.02 - Rev.D
1.65±0.01

 
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