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MTN2572J3

产品描述N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
文件大小295KB,共7页
制造商CYSTEKEC
官网地址http://www.cystekec.com/
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MTN2572J3概述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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CYStech Electronics Corp.
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Spec. No. : C434J3
Issued Date : 2008.12.24
Revised Date :2009.02.04
Page No. : 1/7
MTN2572J3
Features
Low Gate Charge
Simple Drive Requirement
Repetitive Avalanche Rated
Fast Switching Characteristic
RoHS compliant package
BV
DSS
I
D
R
DS(ON)
150V
36A
50mΩ
Symbol
MTN2572J3
Outline
TO-252
G:Gate
D:Drain
S:Source
G D S
Absolute Maximum Ratings
(T
C
=25°C, unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current @V
GS
=10V, T
C
=25°C
Continuous Drain Current @V
GS
=10V, T
C
=100°C
Pulsed Drain Current
(Note 1)
Avalanche Current
Avalanche Energy @ L=0.1mH, I
D
=18A, R
G
=25Ω
Repetitive Avalanche Energy@ L=0.05mH
(Note 2)
Total Power Dissipation (T
C
=25℃)
Linear Derating Factor
Operating Junction and Storage Temperature
Note : 1. Pulse width limited by maximum junction temperature
2. Duty cycle
1%
MTN2572J3
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
E
AR
Pd
Tj, Tstg
150
±30
36
22
120
18
16.2
8.1
50
0.32
-55~+175
V
A
mJ
W
W/°C
°C
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