N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Datenblatt / Data sheet
TZ630N
TZ630N
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T
vj
= -40°C... T
vj max
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
T
C
= 85°C
T
C
= 52°C
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
DIN IEC 747-6
f = 50 Hz, i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
6.Kennbuchstabe / 6
th
letter F
T
vj
= -40°C... T
vj max
T
vj
= +25°C... T
vj max
Elektrische Eigenschaften
V
DRM
,V
RRM
2200
2600
V
DSM
V
RSM
I
TRMSM
I
TAVM
I
TSM
I²t
(di
T
/dt)
cr
(dv
D
/dt)
cr
2200
2600
2300
2700
2400 V
2800 V
2400 V
2800 V
2500 V
2900 V
1500 A
630 A
955 A
25.500 A
23.000 A
3.250.000 A²s
2.650.000 A²s
150 A/µs
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 3000 A
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 6 V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V, R
A
= 5
Ω
v
T
V
(TO)
r
T
I
GT
V
GT
I
GD
V
GD
I
H
max.
2,18 V
0,95 V
0,37 mΩ
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
250 mA
2,0 V
10 mA
5 mA
0,25 V
500 mA
2500 mA
200 mA
4,5 µs
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V, R
GK
≥
10
Ω
I
L
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs, t
g
= 20 µs
T
vj
= T
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
DIN IEC 747-6
T
vj
= 25 °C,i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs
i
D
, i
R
t
gd
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06.03.03
1
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TZ630N
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100 V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/µs, -di
T
/dt = 10 A/µs
5.Kennbuchstabe / 5
th
letter O
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
t
q
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
typ.
V
ISOL
350 µs
3,0 kV
3,6 kV
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Thermische Eigenschaften
Modul / per Module,
Θ
= 180° sin
pro
pro Modul / per Module, DC
pro Modul / per Module
R
thJC
max.
max.
0,0420 °C/W
0,0405 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
R
thCH
T
vj max
T
c op
T
stg
max.
0,01 °C/W
125 °C
-40...+125 °C
-40...+130 °C
Mechanische Eigenschaften
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AlN
Toleranz / Tolerance ± 15%
Toleranz / Tolerance ± 10%
DIN 46 244
G
M1
M2
6
18
A 2,8 x 0,8
typ.
2750 g
36 mm
f = 50 Hz
file-No.
50 m/s²
E 83336
Nm
Nm
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
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Datenblatt / Data sheet
TZ630N
Maßbild
Maßbild
Maßbild
2
4 5
1
TZ
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R,T – Werte
Di
R,T-Werte
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
1
0,0011
0,01
2
0,00267
0,0188
3
0,00866
0,30347
4
0,02313
4,994
5
0,00507
9,98
n
max
Pos. n
R
thn
[°C/W]
τ
n
[s]
6
7
Analytische Funktion / Analytical function:
Z
thJC
=
n=1
S
R
thn
1 -e
–t
t
n
Verstärkte Kühlung / Forced cooling
1 Modul pro Kühlkörper / 1 module per heatsink
Kühlkörper / Heatsink type: KW70 (4l/min.)
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thCA
Pos. n
R
thn
[°C/W]
τ
n
[s]
1
0,00214
9,89
2
0,00035
13
3
0,0245
31,3
4
5
6
7
n
max
Analytische Funktion / Analytical function:
Z
thCA
=
n=1
S
R
thn
1 -e
–t
t
n
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Θ
=
60°
180°
0,040
Diagramme
Trans. Wärmewiderstand bei Sinus
0°
0
180°
0,030
0,020
0,010
0,000
0,01
0,1
1
t [s]
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z
thJC
= f(t)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
Parameter: Stromflußwinkel
Θ
/ Current conduction angle
Θ
Trans. Wärmewiderstand bei Rechteck
0,040
Θ
=
60°
120°
DC
0,030
0°
0
180°
0,020
0,010
0,000
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z
thJC
= f(t)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Parameter: Stromflußwinkel
Θ
/ Current conduction angle
Θ
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嵌入式系统
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