电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

RN73G1JTD1260A

产品描述Fixed Resistor, Thin Film, 0.0625W, 126ohm, 50V, 0.05% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP
产品类别无源元件    电阻器   
文件大小1MB,共5页
制造商Meritek Electronics
官网地址http://www.meritekusa.com
标准
下载文档 详细参数 全文预览

RN73G1JTD1260A概述

Fixed Resistor, Thin Film, 0.0625W, 126ohm, 50V, 0.05% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP

RN73G1JTD1260A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid707667409
包装说明CHIP
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性PRECISION
构造Rectangular
JESD-609代码e3
安装特点SURFACE MOUNT
端子数量2
最高工作温度155 °C
最低工作温度-55 °C
封装高度0.45 mm
封装长度1.55 mm
封装形式SMT
封装宽度0.8 mm
包装方法TR, PAPER, 7 INCH
额定功率耗散 (P)0.0625 W
额定温度70 °C
电阻126 Ω
电阻器类型FIXED RESISTOR
尺寸代码0603
表面贴装YES
技术THIN FILM
温度系数50 ppm/°C
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形状WRAPAROUND
容差0.05%
工作电压50 V
从 LDMOS 转向 GaN,是技术上的飞跃吗?
相比其它半导体,GaN 是一种相对较新的技术,但它已然成为某些高射频、大功率应用的技术之选。虽然 LDMOS 技术目前仍在射频基站领域占有最大市场份额,但预计 GaN 将在 5G 大规模 MIMO 部署中逐渐取代 LDMOS。从 LDMOS 转向 GaN,是技术上的飞跃吗?在全国范围内推动 5G 实施的大规模 MIMO 技术。尽管毫米波频率应用的潜力最终会显现,但在未来几年,5G 服务将主要采用 ...
alan000345 RF/无线
交叉编译器生成的ELF文件问题?
怎样从.elf格式文件中获得变量的信息,包括名称,类型,地址?哪位大神能发给我这样的函数?不胜感激。744287475@qq.com...
wlpo520 嵌入式系统
关于12864指令的问题
Set Higher Column Start Address for Page Addressing Mode12864指令集里面的这个功能是什么意思?:time:...
木木木JS 单片机
这种问题遇到两次了,有知道是怎么回事吗
图中的问题遇到两次了,一次是以前用三极管搭的放大电路,对方波进行放大,输出信号变成了图中形状,这次是用软件仿真运放电路,结果也出现了图中的结果,实在是头大了,不知有前辈遇到过没有,还请指点一二。...
mikegody 模拟电子
430F5438资料
与430x54xx配套的资料 希望可以有助于像我一样刚开始学习5系列单片机LZ...
yygyfjkihag 微控制器 MCU

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 136  145  316  684  1319 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved