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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> SR506
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SR506

产品描述5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小42KB，共2页
制造商上海商朗电子
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SR506概述

5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

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Shanghai Lunsure Electronic
Technology Co.,Ltd
Tel:0086-21-37185008
Fax:0086-21-57152769
SR502
THRU
SR5010

Features
•
•
•
•
Low Switching Noise
Low Forward Voltage Drop
High Current Capability
High Surge Current Capability
5 Amp Schottky
Barrier Rectifier
50 to 100 Volts
DO-201AD
Maximum Ratings
•
•
•
Operating Temperature: -50°C to +150°C
Storage Temperature: -50°C to +150°C
Maximum Thermal Resistance; 18
°C/W
Junction To Ambient
Device
Marking
Maximum
Recurrent
Peak
Reverse
Voltage
20V
30V
40V
50V
60V
80V
100V
Maximum
RMS
Voltage
Maximum
DC
Blocking
Voltage
20V
30V
40V
50V
60V
80V
100V
Catalog
Number
D
SR502
SR503
SR504
SR505
SR506
SR508
SR5010
SR502
SR503
SR504
SR505
SR506
SR508
SR5010
14V
21V
28V
35V
42V
56V
70V
A
Cathode
Mark
B
D
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
I
F(AV)
5.0A
T
A
= 85°C
Current
Peak Forward Surge
I
FSM
150A
8.3ms, half sine
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
.55V
I
FM
= 5.0A;
SR502-SR504
V
F
.70V
SR505-SR506
T
A
= 25°C*
.85V
SR508-SR5010
Maximum DC
1.0mA
Reverse Current At
I
R
T
A
= 25°C
Rated DC Blocking
Voltage
Typical Junction
C
J
200pF
Measured at
Capacitance
1.0MHz, V
R
=4.0V
*Pulse test: Pulse width 300
µsec,
Duty cycle 1%
C
DIMENSIONS
INCHES
MIN
---
---
.048
1.000
MM
MIN
---
---
1.20
25.40
DIM
A
B
C
D
MAX
.370
.250
.052
---
MAX
9.50
6.40
1.30
---
NOTE
www.cnelectr.com

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SR506 SR502 SR503 SR508 SR505 SR504 SR5010
描述 5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD RECTIFIER DIODE, DO-201AD RECTIFIER DIODE, DO-201AD 5 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD RECTIFIER DIODE, DO-201AD RECTIFIER DIODE, DO-201AD

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