Dual N-channel MOSFET
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | ELM Technology Corporation |
零件包装代码 | SOT |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 8.5 A |
最大漏源导通电阻 | 0.017 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 40 A |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管元件材料 | SILICON |
ELM14816AA-N | ELM16401EA-N | |
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描述 | Dual N-channel MOSFET | single P-channel mosfet |
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