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BUZ103AL

产品描述SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level d v/d t rated)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小114KB,共9页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
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BUZ103AL概述

SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level d v/d t rated)

BUZ103AL规格参数

参数名称属性值
厂商名称SIEMENS
零件包装代码SFM
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas)100 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压50 V
最大漏极电流 (ID)35 A
最大漏源导通电阻0.05 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)210 pF
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值120 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)140 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)440 ns
最大开启时间(吨)255 ns

BUZ103AL相似产品对比

BUZ103AL C67078-S1357-A2
描述 SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level d v/d t rated) SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level d v/d t rated)

 
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