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IM65X18-1MJN

产品描述Standard SRAM, 1KX1, 180ns, CMOS, CDIP18
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文件大小381KB,共6页
制造商General Electric Solid State
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IM65X18-1MJN概述

Standard SRAM, 1KX1, 180ns, CMOS, CDIP18

IM65X18-1MJN规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid101267763
包装说明DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间180 ns
JESD-30 代码R-XDIP-T18
JESD-609代码e0
内存密度1024 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
端子数量18
字数1024 words
字数代码1000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织1KX1
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP18,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.00001 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.002 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
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