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BUT33

产品描述56 AMPERES NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR 600 VOLTS 250 WATTS
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小157KB,共8页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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BUT33概述

56 AMPERES NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR 600 VOLTS 250 WATTS

BUT33规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码BFM
包装说明TO-3, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)56 A
集电极-发射极最大电压400 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)20
JEDEC-95代码TO-204AE
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)250 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)0.03 MHz

BUT33相似产品对比

BUT33
描述 56 AMPERES NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR 600 VOLTS 250 WATTS
是否Rohs认证 不符合
厂商名称 ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码 BFM
包装说明 TO-3, 2 PIN
针数 2
Reach Compliance Code _compli
ECCN代码 EAR99
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 56 A
集电极-发射极最大电压 400 V
配置 DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 20
JEDEC-95代码 TO-204AE
JESD-30 代码 O-MBFM-P2
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 2
最高工作温度 200 °C
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN
最大功率耗散 (Abs) 250 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 PIN/PEG
端子位置 BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
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