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BUT12F

产品描述Silicon diffused power transistors
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小75KB,共12页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
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BUT12F概述

Silicon diffused power transistors

BUT12F规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)8 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)10
JESD-609代码e0
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)23 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

BUT12F相似产品对比

BUT12F BUT12AF
描述 Silicon diffused power transistors Silicon diffused power transistors
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
Reach Compliance Code unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 8 A 8 A
配置 Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 10 10
JESD-609代码 e0 e0
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 23 W 23 W
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)

 
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