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BR2510

产品描述25 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小31KB,共2页
制造商HY Electronic
官网地址http://www.hygroup.com.tw
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BR2510概述

25 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

BR2510规格参数

参数名称属性值
厂商名称HY Electronic
Reach Compliance Codeunknow
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE

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BR10/15/25/35/50A SERIES
SILICON BRIDGE RECTIFIERS
REVERSE VOLTAGE
FORWARD CURRENT
- 50
to
1000Volts
- 10/15/25/35/50
Amperes
BR
METAL HEAT SINK
.442(11.23)
.424(10.77)
.921(23.4)
.882(22.4)
0.94
(2.4)
diam
.254(6.45)
.242(6.15)
1.130(28.7)
1.114(28.3)
.661(16.8)
.648(16.4)
FEATURES
Surge overload -240~500amperes peak
Low forward voltage drop
Mounting position: Any
Electrically isolated base -2000 Volts
Solderable 0.25" FASTON terminals
Materials used carries U/L recognition
.035(0.9)
.028(0.7)
Hole for
No.8 screw
193"(4.9)diam
.720(18.3)
.705(17.9)
.661(16.8)
.648(16.4)
1.130(28.7)
1.114(28.3)
.571(14.5)
.555(14.1)
Dimensions in inches and (milimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Resistive or inductive load 60H
Z
.
For capacitive load current by 20%
BR
10005
BR
1001
1501
2501
3501
5001
100
70
10
BR
10
I
FSM
240
BR
15
300
BR
1002
1502
2502
3502
5002
200
140
15
BR
25
400
BR
1004
1504
2504
3504
5004
400
280
25
BR
35
BR
1006
1506
2506
3506
5006
600
420
BR
1008
1508
2508
3508
5008
800
560
35
BR
50
BR
1010
1510
2510
3510
5010
1000
700
50
500
V
V
A
UNIT
CHARACTERISTICS
SYMBOL
15005
25005
35005
50005
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Bridge Input Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Output Current
Peak Forward Surage Current
8.3ms Single Half Sine-Wave
Super Imposed on Rated Load
Maximum Forward Voltage Drop
Per Element at 5.0/7.5/12.5/17.5/25.0A Peak
Maximum Reverse Current at Rated
DC Blocking Voltage Per Element
Operating Temperature Rang
Storage Temperature Rang
@T
A
=25℃
@Tc=55℃
V
RRM
V
RMS
I
(AV)
50
30
400
A
V
F
I
R
T
J
T
STG
1.1
10.0
-55 to +125
-55 to +125
V
uA
~ 363 ~
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