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GBU4D

产品描述2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小663KB,共2页
制造商AMERICASEMI [America Semiconductor, LLC]
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GBU4D概述

2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

2.8 A, 200 V, 硅, 桥式整流二极管

GBU4D规格参数

参数名称属性值
端子数量4
元件数量4
最大平均输入电流2.8 A
加工封装描述20.80 × 18 MM, 3.30 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, 塑料 PACKAGE-4
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸凸缘安装
端子形式THROUGH-孔
端子位置单一的
包装材料塑料/环氧树脂
结构桥, 4 ELEMENTS
二极管元件材料
二极管类型桥式整流二极管
相数1
最大重复峰值反向电压200 V
最大非重复峰值正向电流200 A

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描述 2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE 4 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 3 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

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