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LY62L25616ML-55SLI

产品描述256K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM
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文件大小277KB,共13页
制造商Lyontek
官网地址http://www.lyontek.com.tw/index.html
标准
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LY62L25616ML-55SLI概述

256K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM

LY62L25616ML-55SLI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Lyontek
包装说明TSOP2,
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间55 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G44
长度18.415 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
功能数量1
端子数量44
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm

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®
LY62L25616
Rev. 2.6
256K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM
REVISION HISTORY
Revision
Rev. 1.0
Rev. 2.0
Rev. 2.1
Rev. 2.2
Description
Initial Issue
Revised I
SB(max) :
0.5mA => 1.25mA
Revised Package Outline Dimension(TSOP-II)
Deleted L Spec.
Added SL Spec.
Revised Test Condition of I
CC
/I
SB1
/I
DR
Revised V
TERM
to V
T1
and V
T2
Revised I
DR
Added I
SB1
/I
DR
values when T
A
= 25
and T
A
= 40
Revised
FEATURES
&
ORDERING INFORMATION
Lead free and green package available
to
Green package
available
Added packing type in
ORDERING INFORMATION
Deleted T
SOLDER
in
ABSOLUTE MAXIMUN RATINGS
Revised
PACKAGE OUTLINE DIMENSION
in page 10
Revised
ORDERING INFORMATION
in page 11
Issue Date
Jul.25.2004
May.11.2006
Apr.12.2007
Nov.8.2007
Rev. 2.3
Rev. 2.4
Mar.21.2008
Mar.30.2009
Rev. 2.5
Rev. 2.6
May.6.2010
Aug.25.2010
Lyontek Inc.
reserves the rights to change the specifications and products without notice.
5F, No. 2, Industry E. Rd. IX, Science-Based Industrial Park, Hsinchu 300, Taiwan.
TEL: 886-3-6668838
FAX: 886-3-6668836
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