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2SA1171E

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), PNP, MPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小21KB,共5页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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2SA1171E概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), PNP, MPAK-3

2SA1171E规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)0.05 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)400
JESD-30 代码R-PDSO-G3
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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2SA1171
Silicon PNP Epitaxial
Application
Low frequency small signal amplifier
Outline
MPAK
3
1
2
1. Emitter
2. Base
3. Collector

2SA1171E相似产品对比

2SA1171E 2SA1171D
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), PNP, MPAK-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), PNP, MPAK-3
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 0.05 A 0.05 A
配置 Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 400 250
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.15 W 0.15 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1

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