256-/1024-/2048-/4096-Bit Serial EEPROM with Extended Voltage (2.7V to 5.5V) and Data Protect (MICROWIRE-TM Bus Interface)
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） |
| 包装说明 | 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | USER DEFINED WRITE PROTECTED AREA; DATA RETENTION = 40 YEARS |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 0.25 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 40 |
| 耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 9.817 mm |
| 内存密度 | 4096 bi |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 256 words |
| 字数代码 | 256 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 256X16 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 电源 | 3/5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 串行总线类型 | MICROWIRE |
| 最大待机电流 | 0.00005 A |
| 最大压摆率 | 0.001 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 7.62 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 15 ms |
| 写保护 | HARDWARE/SOFTWARE |
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